姑苏清煜半导体请求多孔碳化硅块体及其制备办法专利可以在必定程度上完结不一样的尺度的多孔碳化硅块体的制备

　　金融界2025年8月15日音讯，国家知识产权局信息数据显现，姑苏清煜半导体科技有限公司请求一项名为“一种多孔碳化硅块体及其制备办法”的专利，公开号CN120483161A，请求日期为2025年05月。

　　专利摘要显现，本发明触及碳化硅资料技术领域，详细触及一种多孔碳化硅块体及其制备办法，该设备包括炉体，设置在炉体的内部并将炉体内部分隔构成上腔室、下腔室的阻隔罩；所述阻隔罩规划呈可开合形状；所述上腔室内设置有石墨坩埚、加热组件；所述下腔室内设置有升降模组、结晶器；可以在必定程度上完结不一样的尺度的多孔碳化硅块体的制备。该制备办法是将高压氢气溶解在硅‑钛熔体中构成硅‑钛‑碳‑氢混合熔体，再经过结晶器与石墨坩埚底部触摸并操控石墨坩埚的下拉速率对硅‑钛‑碳‑氢混合熔体进行冷却，使碳化硅溶质和氢气一起分出，制备得到藕状的多孔碳化硅块体；且可以大批量的制备具有微观毫米级孔隙的多孔碳化硅块体。

　　天眼查资料显现，姑苏清煜半导体科技有限公司，成立于2025年，坐落姑苏市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。经过天眼查大数据分析，姑苏清煜半导体科技有限公司共对外出资了1家企业，专利信息4条。